NIR Plan Apo 50X/0.67 – Oneindig gecorrigeerd metallurgisch objectief voor beeldvorming door silicium heen en procesbewaking met vezellasers

De NIR Plan Apo 50X/0.67 is een hoogwaardig, oneindig gecorrigeerd plan-apochromatisch microscoopobjectief dat specifiek is geoptimaliseerd voor nabij-infrarood (NIR) toepassingen. Met een numerieke apertuur (NA) van 0,67 en een werkafstand (WD) van 10 mm levert het een uitzonderlijke resolutie (0,5 µm) en een uitstekende NIR-transmissie over het zichtbare spectrum van 380–700 nm, evenals de kritische golflengte van 1064 nm. Dit maakt het ideaal voor inspectie van de achterzijde van siliciumwafers, TSV-metrologie (through-silicon via) en realtime monitoring van fiberlaserbewerkingen.

Belangrijkste specificaties:

• Vergroting: 50x
• Numerieke apertuur (NA): 0,67
• Werkafstand (WD): 10 mm
• Brandpuntsafstand: 4 mm
• Resolutie: 0,5 µm
• Scherptediepte (±DF): 0,75 µm
• Maximale beeldhoek: 0,5 mm
• Gewicht: 430 g
• Optisch ontwerp: Oneindig gecorrigeerd, plan apochromaat (APO)
• Werkgolflengte: 380–700 nm & 1064 nm
• Dompelmedium: Lucht